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SI9945ADY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/29 15:19:23 查看 阅读:4

SI9945ADY-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的 N 沃特(N-Channel)功率 MOSFET,采用 DPAK 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等功率转换和控制场景中。
  其设计以高效率和可靠性为核心目标,能够有效降低系统功耗并提升整体性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻(Rds(on)):2.7mΩ(在典型条件下)
  栅极电荷:36nC
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃
  封装类型:TO-263 (DPAK)
  总功耗:32W

特性

SI9945ADY-T1-E3 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力,这使其非常适合需要高效功率转换的应用。
  该器件具备出色的热性能,在高功率密度应用中表现出色。
  此外,其快速开关速度减少了开关损耗,并提高了系统的整体效率。
  Vishay 在制造过程中采用了先进的技术工艺,确保器件能够在极端温度环境下保持稳定运行。

应用

这款功率 MOSFET 主要用于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 电机驱动电路
  - DC-DC 转换器
  - 负载开关
  - 电池保护电路
  - 工业自动化设备
  由于其高性能和耐用性,SI9945ADY-T1-E3 成为许多工程师在设计高效功率系统时的首选方案。

替代型号

SI9946ADY-T1-E3
  IRFZ44N
  FDP5570N
  IXFN40N06P3

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