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GA1206A221GBCBT31G 发布时间 时间:2025/6/12 13:59:38 查看 阅读:24

GA1206A221GBCBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和优异的开关特性,能够满足各种工业及消费类电子产品的电源管理需求。
  该芯片适用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等场景,具有较高的可靠性和稳定性。

参数

型号:GA1206A221GBCBT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):22A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总栅极电荷(Qg):78nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

GA1206A221GBCBT31G具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,可支持高频操作,减少磁性元件体积。
  3. 高电流承载能力,适合大功率应用场景。
  4. 强大的热性能表现,能够在极端温度条件下稳定运行。
  5. 内置ESD保护功能,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。
  7. 封装牢固耐用,便于安装与散热设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备等。
  3. 电机驱动控制,如家用电器中的风扇、泵等。
  4. 电池管理系统(BMS),特别是在电动车和储能系统中。
  5. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
  6. LED驱动电路,提供高效稳定的电流输出。

替代型号

IRFZ44N
  STP22NM60
  FDP024N06L

GA1206A221GBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-