QM13111TR13-5K 是一款由Qorvo公司生产的射频(RF)晶体管,主要用于射频功率放大应用。这款晶体管采用了先进的GaAs(砷化镓)技术,能够提供高功率密度和优良的线性性能,适用于无线通信、广播和工业射频系统。该器件封装在小型SOT-89塑料封装中,适合表面贴装工艺,适用于多种高频应用。QM13111TR13-5K 设计用于在1.8 GHz至2.2 GHz的频率范围内工作,非常适合用于蜂窝通信基站、Wi-Fi设备、无线基础设施和测试设备。
类型:射频功率晶体管
晶体管类型:GaAs FET
频率范围:1.8 GHz至2.2 GHz
输出功率:典型值为11 dBm
增益:典型值为13 dB
工作电压:5 V
电流消耗:典型值为130 mA
封装类型:SOT-89
安装类型:表面贴装
工作温度范围:-40°C至+85°C
QM13111TR13-5K 是一款高性能射频晶体管,具有优异的功率增益和效率表现。其GaAs技术提供了高线性度和低失真,非常适合用于需要高质量信号放大的应用。该晶体管的SOT-89封装使其适合高密度PCB布局,并且具有良好的散热性能。此外,该器件具有低噪声系数和高稳定性,能够在高负载条件下保持良好的性能。其宽工作温度范围确保了在各种环境条件下的可靠性。QM13111TR13-5K 还具有良好的抗干扰能力和长寿命,是工业和通信设备的理想选择。
QM13111TR13-5K 主要用于无线通信系统,如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、RFID读写器、无线传感器网络和测试测量设备。它也适用于广播设备和工业控制系统中的射频信号放大。此外,该晶体管还可用于军事和航空航天领域的高频通信系统。
QM13111TR13-5K 的替代型号包括:
? QM13111TR13-3.3(3.3V供电版本)
? QM13111TR13-2.5(2.5V供电版本)
? QM13112TR13-5K(更高输出功率版本)
? HMC414LC5(Analog Devices的类似性能器件)
? ATF-54143(Broadcom的GaAs FET射频晶体管)