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GA1206A1R2DBCBT31G 发布时间 时间:2025/5/12 14:51:25 查看 阅读:17

GA1206A1R2DBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高频开关应用和功率转换电路中。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点。广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等领域。

参数

器件类型:MOSFET
  导通电阻(典型值):1.2 mΩ
  最大漏源电压:60 V
  连续漏极电流:120 A
  栅极电荷:75 nC
  开关频率:高达 1 MHz
  封装类型:TO-247

特性

GA1206A1R2DBCBT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 高电流处理能力,能够满足大功率负载需求。
  4. 内置过温保护功能,提高系统可靠性。
  5. 优异的热性能,有助于提升整体效率。
  6. 符合 RoHS 标准,环保设计。

应用

该芯片适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS)。
  2. DC-DC 转换器。
  3. 电机驱动与控制。
  4. 工业自动化设备中的功率模块。
  5. 新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车牵引逆变器。
  6. 高效功率因数校正 (PFC) 电路。

替代型号

IRFP2907ZPBF
  IXYS20N60P3
  FDP18N60B

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GA1206A1R2DBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.2 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-