容量：8GB
　　内存标准：HBM2 / HBM2E
　　带宽：每堆栈高达410GB/s
　　数据速率：2.4Gbps / 3.2Gbps
　　堆栈层数：8层或更多
　　电压：1.2V / 1.35V
　　封装类型：TSV（硅通孔）堆叠封装
　　工作温度：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
　　接口类型：宽IO接口
　　功耗：低功耗设计，适用于高性能系统

H9CKNNNBJTAPLR-NUH 是一款基于HBM2或HBM2E标准的高带宽内存模块，具备多项先进特性。首先，其采用硅通孔（TSV）技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠，并通过微小的硅通孔进行内部电气连接，从而显著缩短了信号路径，提高了数据传输效率。其次，该模块的封装尺寸较小，非常适合用于对空间要求严格的高性能计算和图形处理设备。此外，其接口采用宽IO设计，允许更高的并行数据传输能力，从而实现极高的内存带宽。在功耗方面，H9CKNNNBJTAPLR-NUH 采用低电压设计（1.2V或1.35V），在保证高性能的同时有效降低能耗，适用于需要长时间高负载运行的AI训练、数据中心加速卡和高端GPU应用。该内存模块还支持多种低功耗模式，可根据系统需求动态调整功耗状态。此外，它具有良好的热管理和信号完整性设计，能够在高频率下稳定运行，满足苛刻的工业和计算环境要求。
　　在性能方面，H9CKNNNBJTAPLR-NUH 可提供高达3.2Gbps的数据速率，每个堆栈的带宽可超过410GB/s，远高于传统GDDR5或GDDR6内存。这种高带宽特性使其成为AI推理、深度学习、科学计算和实时渲染等应用的理想选择。同时，由于HBM模块直接与GPU或计算芯片封装在一起，避免了传统内存模块的PCB布线限制，进一步提升了信号完整性和系统稳定性。

H9CKNNNBJTAPLR-NUH 主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）加速器、图形处理单元（GPU）、深度学习训练和推理设备、数据中心加速卡、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）系统、高端网络设备和嵌入式视觉系统。该内存模块特别适合需要极高内存带宽和低延迟访问的场景，如大规模并行计算、实时图像渲染、大规模数据库处理和高速数据缓存等。此外，它也广泛用于先进制程的FPGA加速卡和异构计算平台，为下一代计算架构提供强有力的内存支持。

H9HMPSCEPMMLAR-NUH
　　H5ANM8NM2602GM-CRI
　　H9HPNNSBKTMRUR-NEH