GA1206A1R2DBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其封装形式和电气性能经过优化,能够承受较高的电压和电流负载,同时保持较低的功耗。此外,它还具有出色的热性能,能够在严苛的工作条件下稳定运行。
型号:GA1206A1R2DBABR31G
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):150A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,@Vgs=10V)
总栅极电荷(Qg):80nC
输入电容(Ciss):4900pF
输出电容(Coss):100pF
开关时间:开启延迟时间(td(on)):37ns,关断传播时间(td(off)):18ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
GA1206A1R2DBABR31G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),在 Vgs=10V 时仅为 1.2mΩ,从而显著降低导通损耗,提高系统效率。
2.栅极电荷 Qg 和优化的寄生电容设计,适合高频应用。
3. 高额定电流能力,支持高达 150A 的连续漏极电流 Id,适用于大功率场景。
4. 强大的热性能,通过改进的封装技术提升了散热能力,确保长期可靠运行。
5. 宽泛的工作温度范围,从 -55℃ 到 +175℃,适应各种恶劣环境条件。
6. 稳定的电气性能,包括低噪声特性和优异的抗干扰能力,有助于简化电路设计并提升系统稳定性。
GA1206A1R2DBABR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于高效能量转换。
2. 电动车辆(如电动车、混合动力车)中的电机控制器,提供强大的驱动能力和精确的控制。
3. 工业自动化设备,例如伺服驱动器、变频器等,实现复杂运动控制。
4. 大功率 LED 驱动电路,保证照明系统的亮度调节和节能效果。
5. UPS 不间断电源系统,保障关键设备的持续供电。
6. 其他需要高电流、高效率开关操作的应用场景。
GA1206A1R2DAAQG21, IRF3205, FDP5500NL