类型：SiC功率模块
　　额定电流：50A
　　额定电压：1200V
　　拓扑结构：三相全桥（6-Pack）
　　封装形式：双列直插式（Dual-in-line）
　　导通压降：典型值2.1V（@25°C）
　　最大工作温度：175°C
　　热阻：Rth(j-c) = 0.35 K/W
　　短路耐受能力：支持
　　绝缘耐压等级：增强绝缘
　　封装材料：符合RoHS标准

SEMIX253GB176HDS 模块采用SiC MOSFET技术，具有极低的导通和开关损耗，显著提高系统的整体效率。其高热导率封装材料和优化的内部布局设计，使其具备出色的热管理能力，适用于高温环境下的稳定运行。该模块内部集成有多个功率器件，构成完整的三相桥式拓扑结构，便于系统集成和模块化设计。此外，其增强型绝缘封装设计确保了在高压应用中的安全性和可靠性。该模块还具备优异的短路保护能力，可在异常工作条件下保护功率器件免受损坏。
　　模块的封装设计考虑了散热和机械强度，采用双列直插式封装结构，便于安装和散热器连接。其内部引线设计优化了电磁干扰（EMI）性能，降低开关过程中的噪声干扰，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。此外，该模块支持高频开关操作，适合用于高频率逆变器和DC-DC变换器等应用，有助于减小外围元件的尺寸和重量。

SEMIX253GB176HDS 主要用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。常见应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、牵引逆变器、工业电机驱动器、光伏逆变器、储能系统（ESS）以及UPS不间断电源系统。其高效率和良好的热管理性能，使其成为高性能逆变器和变换器的理想选择。

SKM50GB12T4V1R_B12, FS50R12W1T4_B11