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GA1206A152GBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:22:42 查看 阅读:6

GA1206A152GBBBT31G 是一款高性能的存储芯片,主要用于大容量数据存储。该芯片采用先进的制造工艺,在性能、功耗和可靠性方面表现出色。其广泛应用于固态硬盘(SSD)、消费类电子设备及工业级存储解决方案中。此型号支持高密度存储,具备低延迟和高吞吐量的特点,同时兼容主流的接口标准。

参数

类型:NAND Flash
  容量:128GB
  接口:Toggle DDR 2.0
  工作电压:1.8V/3.3V
  封装形式:BGA
  存储单元:MLC
  页大小:16KB
  块大小:2MB
  通道数:8
  最大读取速度:400 MB/s
  最大写入速度:200 MB/s

特性

GA1206A152GBBBT31G 具备以下显著特性:
  1. 高密度存储:通过多层单元技术(MLC),实现更高的存储密度。
  2. 快速传输:支持 Toggle DDR 2.0 接口协议,提供高达 400 MB/s 的读取速度和 200 MB/s 的写入速度。
  3. 低功耗设计:优化的电路结构和电源管理技术,有效降低运行时的功耗。
  4. 数据保护机制:内置 ECC 纠错功能,确保数据的完整性和可靠性。
  5. 长寿命:采用高品质的 NAND Flash 技术,支持多次擦写循环,延长产品使用寿命。
  6. 小型化封装:BGA 封装形式使其适合对空间要求严格的设备应用。

应用

该芯片适用于多种场景下的高性能存储需求,例如:
  1. 固态硬盘(SSD)
  2. 智能手机和平板电脑等移动设备
  3. 工业控制与自动化系统中的数据记录模块
  4. 医疗设备和监控系统的高速缓存存储
  5. 企业级服务器和数据中心的大规模数据存储解决方案
  6. 数码相机和其他便携式多媒体设备的数据存储

替代型号

GA1206A100GBBBT31G, GA1206A256GBBBT31G

GA1206A152GBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-