时间：2025/6/30 19:42:57
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GA1206A151GXBBT31G 是一款高性能的工业级存储芯片，属于 NAND Flash 存储器系列。该型号具有高容量、高速度和高可靠性的特点，适用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片支持多页写入技术，优化了写入速度和使用寿命，同时具备强大的错误检测与纠正功能（ECC），确保数据存储的完整性。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle Mode DDR 2.0
电压：1.8V
封装形式：BGA
工作温度：-40°C ~ +85°C
数据保留时间：10年
擦写寿命：3000次
GA1206A151GXBBT31G 具有以下显著特性：
1. 高性能：支持 Toggle Mode DDR 2.0 接口，传输速率高达 200MT/s。
2. 大容量：单颗芯片提供 128GB 的存储容量，适合高密度存储需求。
3. 高可靠性：采用先进的制程工艺，擦写寿命可达 3000 次，并支持强大的 ECC 纠错功能。
4. 工业级温度范围：工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于各种恶劣环境下的应用。
5. 数据安全性：具备长时间的数据保留能力，确保重要数据在长期存储中不丢失。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、医疗设备以及车载电子系统等需要高可靠性和高容量存储的领域。具体应用场景包括但不限于固态硬盘（SSD）、闪存卡、USB 存储设备和监控录像存储等。
GA1206A100GXBBT31G
GA1206A200GXBBT31G
