GA1206A151GXBBT31G 是一款高性能的工业级存储芯片,属于 NAND Flash 存储器系列。该型号具有高容量、高速度和高可靠性的特点,适用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片支持多页写入技术,优化了写入速度和使用寿命,同时具备强大的错误检测与纠正功能(ECC),确保数据存储的完整性。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle Mode DDR 2.0
电压:1.8V
封装形式:BGA
工作温度:-40°C ~ +85°C
数据保留时间:10年
擦写寿命:3000次
GA1206A151GXBBT31G 具有以下显著特性:
1. 高性能:支持 Toggle Mode DDR 2.0 接口,传输速率高达 200MT/s。
2. 大容量:单颗芯片提供 128GB 的存储容量,适合高密度存储需求。
3. 高可靠性:采用先进的制程工艺,擦写寿命可达 3000 次,并支持强大的 ECC 纠错功能。
4. 工业级温度范围:工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于各种恶劣环境下的应用。
5. 数据安全性:具备长时间的数据保留能力,确保重要数据在长期存储中不丢失。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、医疗设备以及车载电子系统等需要高可靠性和高容量存储的领域。具体应用场景包括但不限于固态硬盘(SSD)、闪存卡、USB 存储设备和监控录像存储等。
GA1206A100GXBBT31G
GA1206A200GXBBT31G