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GA1206A151GXBBT31G 发布时间 时间:2025/6/30 19:42:57 查看 阅读:4

GA1206A151GXBBT31G 是一款高性能的工业级存储芯片,属于 NAND Flash 存储器系列。该型号具有高容量、高速度和高可靠性的特点,适用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片支持多页写入技术,优化了写入速度和使用寿命,同时具备强大的错误检测与纠正功能(ECC),确保数据存储的完整性。

参数

类型:NAND Flash
  容量:128GB
  接口:Toggle Mode DDR 2.0
  电压:1.8V
  封装形式:BGA
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  数据保留时间:10年
  擦写寿命:3000次

特性

GA1206A151GXBBT31G 具有以下显著特性:
  1. 高性能:支持 Toggle Mode DDR 2.0 接口,传输速率高达 200MT/s。
  2. 大容量:单颗芯片提供 128GB 的存储容量,适合高密度存储需求。
  3. 高可靠性:采用先进的制程工艺,擦写寿命可达 3000 次,并支持强大的 ECC 纠错功能。
  4. 工业级温度范围:工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于各种恶劣环境下的应用。
  5. 数据安全性:具备长时间的数据保留能力,确保重要数据在长期存储中不丢失。

应用

该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、医疗设备以及车载电子系统等需要高可靠性和高容量存储的领域。具体应用场景包括但不限于固态硬盘(SSD)、闪存卡、USB 存储设备和监控录像存储等。

替代型号

GA1206A100GXBBT31G
  GA1206A200GXBBT31G

GA1206A151GXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-