时间：2025/6/16 18:35:56
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FHF6N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件主要应用于开关电源、直流电机驱动、逆变器等领域。其高击穿电压和低导通电阻的特点使其在高频开关应用中表现出色。
FHF6N60具有快速的开关速度和良好的热稳定性，适合于需要高效能和高可靠性的电子电路设计。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.9A
栅极电荷：18nC
导通电阻：3.6Ω
工作结温范围：-55℃ to 150℃
1. 高击穿电压（600V），适用于高压环境下的开关应用。
2. 极低的导通电阻（3.6Ω），降低导通损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，减少开关损耗，非常适合高频应用。
4. TO-252小型封装，节省PCB空间，便于散热设计。
5. 良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常工作。
1. 开关电源中的功率转换和控制电路。
2. 直流电机驱动，用于实现PWM调速和方向控制。
3. 逆变器模块，用作高频开关元件以实现交流信号生成。
4. 各类负载开关和保护电路，提供过载保护和快速响应功能。
5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
IRF640N
STP60NF06
FDP6N60
