GA1206A150GBBBT31G 是一款高性能的存储芯片,主要应用于企业级和工业级的数据存储解决方案。该芯片采用先进的闪存技术,提供高容量、高速度和高可靠性的数据存储能力。它支持多种接口协议,如 NVMe 和 SATA,并具备强大的纠错功能以及低功耗特性。
该型号的命名规则中包含了容量、封装形式、工作温度范围等信息,适合需要长时间稳定运行的环境。
容量:1.5TB
接口类型:NVMe PCIe 3.0 x4
读取速度:高达 3500 MB/s
写入速度:高达 3000 MB/s
工作电压:3.3V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA
IOPS:高达 780K (随机读)
MTBF:200万小时
耐久性:每日全盘写入次数 (DWPD) 为 3
GA1206A150GBBBT31G 提供卓越的数据吞吐量和低延迟性能,非常适合用于虚拟化、云计算及大数据分析等场景。它采用了最新的 TLC NAND 技术,在保证性能的同时有效降低了成本。
此外,这款芯片还集成了多种高级功能,例如端到端数据保护、智能磨损均衡算法、动态与静态数据刷新机制,以及全面的电源故障保护方案。
其低功耗设计使其成为对能效要求较高的系统的理想选择,同时支持主机内存缓冲 (HMB) 技术以优化性能表现。
该芯片广泛应用于数据中心、服务器、网络设备以及其他需要高性能存储解决方案的领域。具体包括但不限于以下方面:
1. 数据中心的存储阵列
2. 工业计算机中的固态硬盘模块
3. 高速缓存系统
4. 视频监控记录设备
5. 医疗成像设备中的数据存储组件
6. 金融行业的高频交易系统
由于其出色的可靠性和耐用性,GA1206A150GBBBT31G 在关键任务型环境中表现出色。
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