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BC857BW-7-F 发布时间 时间:2022/12/30 10:32:03 查看 阅读:726

    晶体管极性:PNP

    电压, Vceo:-45V

    截止频率 ft, 典型值:200MHz

    工作温度范围:-65°C to +150°C

    封装类型:SOT-323

    功耗:200mW

  

目录

概述

    晶体管极性:PNP

    电压, Vceo:-45V

    截止频率 ft, 典型值:200MHz

    工作温度范围:-65°C to +150°C

    封装类型:SOT-323

    功耗:200mW

    封装类型:SOT-323

    晶体管类型:Small Signal

    最大连续电流, Ic:-100mA

    直流电流增益 hfe, 最小值:220

    表面安装器件:表面安装

    饱和电压, Vce sat 最大:-650mV


资料

厂商
Diodes Incorporated

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BC857BW-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC857BW-FDITR