时间：2025/6/16 13:31:06
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GA1206A120KXCBP31G是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，专为高频、高效率应用而设计。该器件采用了先进的增强型场效应晶体管（eGaN FET）结构，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于各种高性能电源转换场景。
其封装形式为超小型表面贴装器件，能够显著减少寄生电感的影响，从而提升系统性能。通过集成保护功能与优化的热设计，GA1206A120KXCBP31G在可靠性与散热方面表现出色，满足现代电力电子设备对紧凑性与效率的需求。
型号：GA1206A120KXCBP31G
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
额定电压：650 V
额定电流：120 A
导通电阻（Rds(on)）：12 mΩ（典型值，25°C）
栅极驱动电压：4.5 V至6 V
最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：表面贴装，超薄型
GA1206A120KXCBP31G具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，支持高达数兆赫兹的工作频率，适合高频应用。
3. 高度可靠的增强型GaN技术，确保长期稳定运行。
4. 超小尺寸封装，减少寄生电感影响，同时提高功率密度。
5. 内置保护机制，包括过流保护和短路保护，进一步增强系统安全性。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
该芯片主要应用于需要高效功率转换和高频操作的场景中，包括但不限于：
1. 数据中心服务器电源模块
2. 高效DC-DC转换器
3. 工业级电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车充电设备
6. 消费类快充适配器
7. 通信基站电源
这些应用领域充分利用了其高效率、高频率及紧凑型封装的优势。
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
TP65H150G4L
