时间：2025/8/8 3:46:33
阅读：30
7443552150 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于多种高功率和高频率的应用，如电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等。该 MOSFET 采用先进的 Trench 工艺制造，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的效率。封装形式为 SOT404（也称为 DPAK），适合表面贴装技术（SMT）安装，便于自动化生产。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：100 V
栅极-源极电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：80 A
导通电阻（RDS(on)）：@ VGS=10V, ID=40A, RDS(on)=0.0035Ω
功率耗散（PD）：200 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SOT404（DPAK）
7443552150 是一款高性能功率 MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。其先进的 Trench 技术使其在高频率应用中表现优异，同时保持较低的开关损耗。
这款 MOSFET 的高电流承载能力（高达 80A）使其适用于高功率应用，如 DC-DC 转换器、电源管理和电池充电系统。此外，其最大漏极-源极电压为 100V，能够应对各种高电压场景，确保系统的稳定性和可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，通常在 10V 栅极电压下即可实现最佳导通性能。其封装形式为 DPAK（SOT404），具有良好的热性能，能够有效散热，适合在高功率密度设计中使用。
7443552150 还具有出色的耐用性和热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能。其广泛应用于工业电源、汽车电子、消费类电子产品和通信设备中，满足不同领域的设计需求。
7443552150 MOSFET 主要用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制、电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS 系统以及各种工业自动化设备。由于其优异的导通特性和高电流能力，该器件在新能源汽车、光伏逆变器和储能系统中也有广泛应用。
IRF1405, STP80NF10, FDP80N10
