时间：2025/7/4 8:30:57
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GA1206A101GBLBT31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 公司生产的碳化硅 (SiC) 基肖特基二极管。该器件采用先进的 SiC 技术，具备卓越的开关性能和高效率，适合高频、高温及高功率密度的应用场景。
肖特基二极管因其低正向压降和快速恢复特性，广泛用于电源转换器、DC-DC 转换器以及太阳能逆变器等电力电子设备中。
额定电压：1200V
额定电流：6A
正向压降：≤1.45V（典型值 1.2V）
反向恢复时间：≤25ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-2
1. 高电压承受能力，最高可达 1200V，适用于高压环境下的电力电子应用。
2. 极低的正向压降 (VF)，减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速的反向恢复时间 (trr)，使其在高频开关应用中表现出色。
4. 良好的热性能，在高温环境下依然能保持稳定的电气特性。
5. 宽温度范围 (-55℃ 至 +175℃) 支持，适合极端环境中的使用。
6. 使用碳化硅材料制造，提供更高的功率密度和更长的使用寿命。
GA1206A101GBLBT31G 主要应用于需要高效能和高可靠性的领域，包括但不限于以下方面：
1. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
2. 工业用 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器 (OBC) 和电机控制器。
4. 不间断电源 (UPS) 和电信设备的电源模块。
5. 高频开关电源 (SMPS) 和 PFC（功率因数校正）电路。
GA1206A101GBLBT21G
