CS5N60A8H 时间：2025/8/2 2:24:07 阅读：14

CS5N60A8H 是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的高压MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等电力电子领域。该器件采用先进的高压MOSFET技术，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于中高功率应用。CS5N60A8H 封装形式为TO-220，具备良好的散热性能和稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：5A
　　最大功率耗散(Pd)：50W
　　导通电阻(Rds(on))：1.8Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

CS5N60A8H 以其优异的电气性能和高可靠性著称。该器件的漏源耐压高达600V，使其能够在高电压环境下稳定工作，适用于各种开关电源和功率控制电路。其导通电阻为1.8Ω，在同类产品中表现良好，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，CS5N60A8H 的最大连续漏极电流为5A，最大功率耗散为50W，具备较强的负载能力。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合在较高功率应用中使用。其栅源电压范围为±30V，具有较强的抗干扰能力，避免因栅极电压波动导致的误导通或损坏。工作温度范围为-55°C至150°C，适应多种环境条件下的稳定运行。
　　CS5N60A8H 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。同时，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），有利于高频应用中的性能优化。此外，其内置的体二极管可提供反向电流保护，提高系统的稳定性和安全性。

应用

CS5N60A8H 广泛应用于多种电力电子设备中，如开关电源、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、照明控制系统和工业自动化设备。由于其高耐压和良好的导通性能，该器件特别适合用于需要高效能、高稳定性的电源转换系统。此外，CS5N60A8H 还可用于电池管理系统、不间断电源（UPS）以及各种高电压控制电路中。