时间：2025/5/28 9:57:45
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GA1206A100GBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽型 MOSFET 系列。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高频开关应用。
这款器件通常被用作功率转换电路中的关键元件，例如开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效能量转换的场景。其封装形式和电气特性经过优化，能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。
型号：GA1206A100GBEBR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：100V
最大连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
总栅极电荷(Qg_total)：95nC
输入电容(Ciss)：2850pF
输出电容(Coss)：1100pF
反向传输电容(Crss)：170pF
功耗(PD)：210W
工作温度范围(Topr)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
GA1206A100GBEBR31G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 4.5mΩ，从而降低了传导损耗并提升了整体效率。
2. 高速开关性能，得益于其较小的栅极电荷和快速的开关时间。
3. 强大的散热能力，能够在较高的结温下稳定运行。
4. 提供了较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达 40A。
5. 工作温度范围宽广，支持从 -55°C 到 +175°C 的环境，适用于严苛的工作条件。
6. 封装坚固耐用，适合工业和汽车级应用。
这些特性使得 GA1206A100GBEBR31G 成为高效功率转换的理想选择。
该芯片广泛应用于多个领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动，特别是用于高效节能的无刷直流电机(BLDC)。
3. 太阳能逆变器，用于将直流电转换为交流电。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电力电子系统。
5. 工业自动化控制和家电中的功率管理模块。
6. LED 驱动器和其他需要高效率和高可靠性功率转换的应用场景。
GA1206A100GBEBR31G-A, IRFZ44N, FDP55N10
