您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > AONR32320

AONR32320 发布时间 时间:2025/5/13 19:00:21 查看 阅读:4

AONR32320是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高效率电源管理应用。其设计优化了静态和动态性能,使其成为便携式设备、负载开关、DC-DC转换器和电机驱动等应用的理想选择。
  AONR32320的额定电压为30V,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。它还具备较低的栅极电荷和输出电容,有助于降低开关损耗并提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:187A
  导通电阻(典型值):0.5mΩ
  栅极电荷(典型值):140nC
  输入电容:2590pF
  工作结温范围:-55℃ to 175℃
  封装类型:TOLL

特性

AONR32320具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,能够有效降低开关损耗。
  4. 宽工作温度范围,确保在恶劣环境下的可靠性。
  5. 小巧的TOLL封装形式,有助于节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

AONR32320广泛应用于各种高效能需求场景中,包括但不限于:
  1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电池管理系统中的负载开关或保护电路。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 计算机及服务器电源模块中的关键功率传输组件。
  5. 消费类电子产品中的功率管理单元。
  6. 工业自动化设备中的功率转换与控制部分。

替代型号

AONR32320G, AONR32320L

AONR32320推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

AONR32320参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型-
  • 供应商器件封装-
  • 封装/外壳-