GA0805Y391MBJBR31G 是一款由东芝公司生产的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用DPAK封装形式,具有低导通电阻和高耐压的特点,适用于需要高效能转换的应用场合。
该芯片通过优化的沟槽结构设计,在高温环境下仍能保持良好的性能稳定性。同时,其出色的散热特性和坚固的电气参数使其成为工业和消费电子领域中的理想选择。
型号:GA0805Y391MBJBR31G
制造商:东芝(Toshiba)
类型:N-Channel MOSFET
封装:DPAK (TO-252)
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):43A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
总功耗(Ptot):78W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
栅极电荷(Qg):55nC
GA0805Y391MBJBR31G 具备以下显著特性:
1. 低导通电阻(Rds(on)):仅为4.5mΩ,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流处理能力:支持高达43A的连续漏极电流,适合大功率应用。
3. 快速开关速度:得益于较小的栅极电荷(Qg),能够实现快速开关操作,降低开关损耗。
4. 耐热增强型封装:DPAK封装提供出色的散热性能,可有效延长器件寿命。
5. 广泛的工作温度范围:从-55℃到+175℃,确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准:环保设计,满足全球法规要求。
GA0805Y391MBJBR31G 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器和工业电源。
2. 电机驱动:如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
3. 逆变器:太阳能逆变器和其他电力转换设备。
4. LED照明:大功率LED驱动电路。
5. 电池管理系统(BMS):电动汽车和储能系统的电池保护与管理。
6. 工业控制系统:如PLC和伺服驱动器中的功率级组件。
GA0805Y391MBJBR31G, IRFZ44N, FDP5570, AO3400