时间：2025/5/24 10:25:39
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FQP3N80C 是一款 N 沣道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用 TO-220 封装形式，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于功率转换、电机驱动、电源管理和负载切换等场景。
FQP3N80C 的设计使其能够处理高达 800V 的漏源极电压，并提供相对较低的导通电阻以减少功耗。它适用于需要高效率和可靠性的应用环境。
最大漏源极电压：800V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：6.5Ω（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：45nC
总功率耗散：10W（在 Ta=25°C 时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FQP3N80C 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：可承受高达 800V 的漏源极电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在 Vgs=10V 时，导通电阻仅为 6.5Ω，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：具备较小的栅极电荷和较短的开关时间，能够支持高频操作。
4. 稳定性：能够在宽泛的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
5. 高可靠性：经过优化的设计确保其在恶劣条件下的长期稳定性。
FQP3N80C 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 可用作主开关管或同步整流器中的功率 MOSFET。
2. 电机驱动：
- 在电机控制电路中实现高效的功率传输与切换。
3. 逆变器：
- 提供高电压切换能力，适用于太阳能逆变器和其他电力转换设备。
4. 电池管理系统：
- 实现电池组的充放电保护及负载切换功能。
5. 工业自动化：
- 用于工业控制系统中的功率级管理与信号隔离。
IRF840
FQA8N80E
STP8NB80Z
