时间：2025/8/25 4:10:06
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FDD6782 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高电流、高功率的应用场景。该器件设计用于高效能的电源转换设备，如 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路。其高耐压、低导通电阻以及优异的热性能使其在多种工业和消费类应用中表现出色。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：120A（在 TC=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
FDD6782 具有多个显著特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）减少了在高电流应用中的功率损耗，提高了整体系统效率。其次，该 MOSFET 的最大漏极电流可达 120A，在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外，FDD6782 采用 TO-263 表面贴装封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其耐受高达 30V 的漏源电压，适用于多种中低压电源转换系统。该器件的栅极驱动电压范围宽泛，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，便于与多种控制器或驱动 IC 兼容。
内置的雪崩能量保护功能使其在突发高压条件下具备更强的耐受能力，提高了系统的可靠性和寿命。此外，该器件的热阻低，有助于在高功率运行时保持较低的结温，从而减少热失效的风险。
FDD6782 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. **电源管理系统**：如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器和电池充电器电路。
2. **电动工具与电动车**：用于电机驱动和功率控制电路中。
3. **工业自动化设备**：作为高电流负载开关或电机控制器使用。
4. **消费电子产品**：例如笔记本电脑、台式机主板和高性能电源适配器中的电源管理模块。
5. **通信设备**：用于基站、路由器和交换机的电源转换模块，以提升能效和可靠性。
FDD6784A, FDS6680, FDD8882, IRF1405
