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GA0805Y391KBXBR31G 发布时间 时间:2025/5/28 9:37:57 查看 阅读:11

GA0805Y391KBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动和开关应用等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合需要高效能和稳定性的电子设备。
  其设计旨在优化功率转换效率,同时降低能耗和发热量,广泛应用于消费类电子产品、工业控制以及汽车电子领域。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-263
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ
  ID(持续漏电流):50A
  Qg(栅极电荷):75nC
  fsw(最大开关频率):1MHz
  Ptot(总功耗):25W

特性

GA0805Y391KBXBR31G 芯片具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),可有效减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高达 1MHz 的工作频率,非常适合高频开关电源和逆变器应用。
  3. 内置静电防护功能,增强芯片在恶劣环境下的可靠性。
  4. 小型化封装设计,有助于简化电路板布局并节省空间。
  5. 具有良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于全球市场要求。

应用

该芯片适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 直流-直流转换器 (DC-DC Converter) 和升降压模块。
  3. 电机驱动器,用于家用电器、工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
  4. 太阳能微逆变器及储能系统中的功率管理单元。
  5. 汽车电子系统,例如车载充电器和电动助力转向系统的功率级元件。
  6. LED 照明驱动电路,提供高效的恒流或恒压输出控制。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5570
  AUIRF7832TRPBF

GA0805Y391KBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-