时间：2025/7/9 22:16:35
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CST0630H-R68M 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装工艺，具有低寄生电感和优异的散热性能，能够在高频条件下提供卓越的效率和增益表现。
其主要应用于射频功率放大器、无线通信系统以及雷达等需要高性能射频输出的领域。
型号：CST0630H-R68M
类型：GaN HEMT
工作频率范围：DC 至 6 GHz
输出功率：50 W (典型值)
增益：12 dB (典型值)
电源电压：28 V
漏极电流：6 A (最大值)
插入损耗：≤ 0.5 dB
封装形式：陶瓷封装
工作温度范围：-40°C 至 +100°C
CST0630H-R68M 具有高击穿电压和低导通电阻的特点，这使得它在高功率密度的应用中表现出色。此外，该器件的高频性能得益于 GaN 材料的高电子迁移率特性，能够在高达 6 GHz 的频率范围内保持稳定的输出功率和增益。
由于采用了高效的热管理设计，CST0630H-R68M 能够有效降低运行时的结温，从而提高长期可靠性。同时，该器件的线性度和稳定性也经过优化，使其非常适合于复杂的通信系统中的使用。
其低寄生效应的设计减少了外部匹配网络的需求，简化了电路设计过程，同时也降低了系统的整体成本和复杂度。
CST0630H-R68M 广泛用于各种射频和微波功率应用中，包括但不限于：
1. 基站功率放大器
2. 军用雷达系统
3. 卫星通信设备
4. 测试与测量仪器
5. 点对点微波链路
这些应用都依赖于其高效率、高功率密度和宽频带操作能力，能够满足现代无线通信技术对于高性能射频元件的需求。
CST0630H-R50M, CST0630H-R80M
