时间：2025/5/22 21:57:21
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GA0805H563MXXBR31G 是一款由东芝（Toshiba）推出的高压 MOSFET 芯片，采用 TO-263-7 封装形式。该芯片主要用于高电压、高效率的电源管理应用，例如开关电源、电机驱动以及工业控制等领域。
此器件内部集成了 N 沟道 MOSFET 和保护电路，能够在高电压条件下提供稳定的性能表现，并具备过热保护和过流保护功能，从而提升系统的可靠性和安全性。
型号：GA0805H563MXXBR31G
制造商：Toshiba
封装：TO-263-7
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源极耐压 (Vds)：800V
连续漏极电流 (Id)：5.6A
栅极阈值电压 (Vgs(th))：4V 至 6V
导通电阻 (Rds(on))：最大 1.9Ω（在 Vgs = 10V 时）
总功耗：25W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
GA0805H563MXXBR31G 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：支持高达 800V 的漏源极电压，适用于高电压环境下的电源转换和电机驱动场景。
2. 低导通电阻：其导通电阻仅为 1.9Ω，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
3. 内置保护功能：集成过热保护和过流保护电路，增强了芯片的耐用性和可靠性。
4. 稳定性强：即使在极端温度环境下，也能保持良好的电气性能。
5. 小型化设计：采用 TO-263-7 封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计需求。
6. 快速开关能力：具备较低的输入电容和输出电容，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗。
GA0805H563MXXBR31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于高效能的 AC/DC 或 DC/DC 转换器中。
2. 工业设备：如变频器、伺服驱动器和其他需要高压控制的应用。
3. 家用电器：如空调、洗衣机等家电产品的电机驱动模块。
4. LED 照明：为大功率 LED 提供高效的驱动方案。
5. 通信设备：如基站电源和其他电信基础设施中的电源管理系统。
6. 电动汽车：适用于电动车充电器和相关高压电源管理系统。
GA0805H563MXB1R31G
