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2N7002_R1 发布时间 时间:2025/8/14 15:25:31 查看 阅读:8

2N7002_R1 是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电路和放大电路中。它具有较低的导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性,适合用于电源管理、逻辑驱动、负载开关等应用。该器件采用SOT-23封装,体积小,便于在紧凑的PCB布局中使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):110mA(连续)
  导通电阻(Rds(on)):5Ω(典型值)
  漏极电容(Coss):约15pF
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2N7002_R1 MOSFET具有多个显著的电气和物理特性。首先,其低导通电阻(Rds(on))特性使其在导通状态下功耗更低,从而提高整体系统效率。其次,它具备较高的栅极绝缘能力,栅源电压可承受±20V,增强了器件在复杂电路环境中的可靠性。此外,2N7002_R1具有快速开关特性,适合高频开关应用,减少开关损耗。
  从热性能角度来看,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于一些对散热要求较高的设计。其SOT-23封装结构不仅体积小巧,还便于实现自动化贴片安装,提高生产效率。此外,2N7002_R1在逻辑电平驱动方面表现出色,可直接由常见的数字IC(如微控制器)驱动,无需额外的驱动电路。

应用

2N7002_R1广泛应用于多种电子设备中。常见用途包括数字逻辑电路中的开关控制、LED驱动、小型继电器驱动、电池供电设备中的电源开关管理等。此外,它也常用于模拟信号切换、H桥驱动电路以及低功率DC-DC转换器中的开关元件。由于其封装小巧、性能稳定,该器件在消费电子、工业控制、汽车电子等领域均有广泛应用。

替代型号

2N7000, BSS138, 2N7002K, NDS7002A

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