HY628100BLLG-70I 时间：2025/9/2 4:05:16 阅读：24

HY628100BLLG-70I 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。这款SRAM芯片具有128K x 8位的存储容量，适用于需要高速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片采用LLPD（Low-Power Programmable Delay）技术，以实现低功耗和高性能的平衡。其封装形式为52引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适合空间受限的应用场景。

参数

容量：128K x 8位
　　电压：3.3V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：52-TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行异步接口
　　数据保持电压：2V至3.6V
　　最大工作电流：约180mA（典型值）
　　待机电流：小于10mA

特性

HY628100BLLG-70I SRAM芯片具备多项高性能和低功耗特性，使其适用于多种高性能嵌入式应用。首先，其70ns的访问时间确保了高速数据读写操作，满足实时系统对延迟的严格要求。其次，该芯片支持3.3V单电源供电，简化了电源设计，同时具备宽广的电压容忍范围（2V至3.6V），增强了系统设计的灵活性。
　　此外，HY628100BLLG-70I采用低功耗编程延迟（LLPD）技术，在保持高速性能的同时，显著降低了功耗，使其适用于对能效敏感的应用场景，如便携式设备和远程传感器节点。芯片的待机电流低于10mA，进一步提升了能效表现。
　　该SRAM芯片还具备工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业自动化、智能电表、通信设备和汽车电子等应用。52-TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了热稳定性和机械可靠性，便于SMT（表面贴装技术）制造流程。
　　HY628100BLLG-70I采用并行异步接口，兼容多种微控制器和处理器，简化了系统集成过程。此外，该芯片具备高抗噪能力和数据保持功能，在断电情况下仍可保持数据完整性，确保关键数据不会丢失。

应用

HY628100BLLG-70I SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的嵌入式系统和工业控制设备。典型应用包括工业自动化控制器、智能仪表、通信网关、数据采集设备以及需要缓存或临时数据存储的嵌入式系统。由于其宽温工作范围和高可靠性，该芯片也常用于汽车电子系统、安防设备和远程监测设备。此外，该SRAM芯片适用于需要快速响应和稳定数据存储的医疗仪器和测试设备。