型号：2SK2504
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　连续漏极电流（ID）：5.0 A @ TC=75℃
　　脉冲漏极电流（IDM）：20 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：35 mΩ @ VGS=10 V, ID=2.5 A
　　导通电阻（RDS(on)）：45 mΩ @ VGS=4.5 V, ID=2.5 A
　　阈值电压（Vth）：1.0 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：1020 pF @ VDS=10 V
　　输出电容（Coss）：390 pF @ VDS=10 V
　　反向传输电容（Crss）：80 pF @ VDS=10 V
　　开启延迟时间（td(on)）：10 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：28 ns
　　总栅极电荷（Qg）：12 nC @ VGS=10 V
　　功耗（PD）：2.5 W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOP Advance

2SK2504采用先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构通过在硅片表面形成深沟槽并填充栅极材料，显著提升了单位面积内的载流子迁移率，从而实现了极低的导通电阻（RDS(on)）。在VGS=10V条件下，其典型RDS(on)仅为35mΩ，这有助于降低导通损耗，提高整体电源转换效率。同时，该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好性能，例如在VGS=4.5V时，RDS(on)为45mΩ，使其兼容多种逻辑电平驱动电路，包括3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外的电平转换或驱动IC，简化了系统设计。
　　该MOSFET具备优异的开关速度，得益于较小的寄生电容和优化的内部结构。其输入电容（Ciss）为1020pF，反向传输电容（Crss）仅为80pF，有效减少了米勒效应带来的影响，提高了抗干扰能力和高频工作的稳定性。开启延迟时间为10ns，关断延迟时间为28ns，配合仅12nC的总栅极电荷（Qg），使得2SK2504非常适合用于高频PWM控制场合，如同步整流DC-DC变换器和桥式驱动电路。此外，该器件具有较高的电流处理能力，连续漏极电流可达5A（在TC=75℃条件下），脉冲电流更可达到20A，满足瞬态负载变化需求。
　　从可靠性角度看，2SK2504的工作结温范围为-55℃至+150℃，可在极端环境温度下稳定运行。其最大漏源电压为60V，适用于大多数中低压功率应用。SOP Advance封装不仅节省空间，还提供了较好的热传导路径，便于通过PCB敷铜进行散热。内置的体二极管具有快速恢复特性，能在感性负载关断时提供有效的续流通道，防止电压尖峰损坏器件。综合来看，2SK2504以其低导通电阻、高开关速度、良好热性能和高可靠性，成为现代高效能电源系统中理想的功率开关选择。

2SK2504广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压或升压转换器，其中作为高端或低端开关管使用，利用其低RDS(on)减少导通损耗，提升电源效率。在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，该器件常用于电池充放电控制、电压调节模块及背光驱动电路。此外，它也适用于开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流或初级侧驱动，特别是在空间受限的小型电源适配器中表现出色。
　　工业控制领域中，2SK2504可用于电机驱动电路，特别是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为开关元件实现正反转和调速功能。其快速开关能力和对PWM信号的良好响应特性，使其适用于精确的速度和位置控制应用。在LED照明系统中，该MOSFET可用作恒流驱动开关，配合电感和控制IC构建高效的LED驱动电源，广泛用于室内照明、汽车照明和显示屏背光等场景。
　　此外，2SK2504还可用于热插拔电路、电源多路复用器以及各种电池供电设备中的负载开关应用。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器GPIO引脚控制，实现对电源轨的通断管理，从而降低待机功耗，延长电池寿命。在通信设备、网络路由器和嵌入式系统中，该器件也被用于隔离不同电压域或实现冗余电源切换。总之，凭借其高性能和紧凑封装，2SK2504适用于几乎所有要求高效率、小体积和高可靠性的中低压功率开关场合。

2SK3018
　　2SK3423
　　Si2305DS
　　AO3400