时间：2025/6/16 15:20:57
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GA0805H563MBXBR31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺以提供卓越的开关性能和低导通电阻。此型号适用于各种高效率电源转换和电机驱动应用。其设计目标是减少功率损耗并提高系统的整体效率。
该器件具有出色的热稳定性和可靠性，在工业、消费类电子以及汽车领域中得到了广泛应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：8A
导通电阻Rds(on)：0.56Ω（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：70W
结温范围Tj：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220AC
GA0805H563MBXBR31G具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可穿电压（Vds）使其能够承受更高的工作电压，适合多种高压应用环境。
3. 快速开关速度有助于减少开关损耗，并支持高频操作。
4. 优异的热稳定性确保了长时间运行下的可靠性能。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 具有较强的抗静电能力（ESD防护）。
7. 封装坚固耐用，便于散热和安装。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）。
4. 负载开关和保护电路。
5. 汽车电子设备中的电池管理及点火系统。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 家用电器如空调、冰箱等的压缩机驱动电路。
GA0805H563MBXBR21G, IRF840, STP80NF06L
