时间：2025/5/12 10:49:49
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S-35190A-T8T1G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压特性和快速开关速度等特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
该型号属于 S 系列功率器件家族，专为工业和汽车电子领域设计，能够在严苛的工作环境下保持优异的性能表现。
类型：N沟道 MOSFET
封装形式：TO-263
最大漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
栅极电荷(Qg)：35nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
最大功耗(Ptot)：210W
S-35190A-T8T1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，支持大功率输出。
4. 具备出色的热性能，在高温条件下依然能保持稳定运行。
5. 内置过温保护功能，增强了产品的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
此外，其紧凑型封装设计使其易于安装，并适用于空间受限的应用场景。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统，例如电池管理系统(BMS) 和电子助力转向(EPS)。
4. 工业自动化设备中的负载开关和逆变器。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各种 DC-DC 转换器及升压/降压模块。
S-35190B-T8T1G, IRFZ44N, FDP16N60
