工作频率：2.3 - 2.7 GHz
　　输出功率：10 W (平均功率)
　　增益：23 dB
　　效率：40% @ 28 V
　　工作电压：+28 V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　热阻：0.25°C/W
　　输入回波损耗：15 dB
　　输出回波损耗：12 dB
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

TGA2519-SG 采用先进的 GaN 技术，具备出色的功率密度和高效率，能够在较宽的频率范围内提供稳定的性能。其高线性度和低失真特性使其非常适合用于高数据速率的无线通信系统。模块内部集成了输入和输出匹配电路，无需额外的外部匹配元件，从而降低了设计复杂度并提高了系统的稳定性。此外，TGA2519-SG 还具备良好的热管理能力，能够在高功率操作下保持较低的工作温度，确保长期可靠性。该器件采用紧凑的表面贴装封装，便于集成到现代通信设备中，并支持高密度的 PCB 布局设计。
　　TGA2519-SG 的另一个显著特点是其高耐用性和抗干扰能力，能够在恶劣的环境条件下（如高温、高湿度或电磁干扰较强的情况下）稳定运行。其宽频带设计使其能够支持多种通信标准和协议，适用于多频段和多标准基站、远程无线电头端（RRH）、分布式天线系统（DAS）等应用。此外，该模块的高输入回波损耗和低输出驻波比（VSWR）确保了信号传输的稳定性，减少了信号反射和损耗，提高了整体系统的性能。TGA2519-SG 的设计还支持高集成度的射频前端架构，使其成为现代无线基础设施中不可或缺的组件之一。

TGA2519-SG 主要用于无线通信基础设施，包括 4G LTE 基站、WiMAX 系统、微波链路、分布式天线系统（DAS）以及远程无线电头端（RRH）等应用场景。其高功率输出和宽频带特性使其适用于多频段和多标准的通信设备设计。

TGA2550, TGF2551, HMC8205BF10