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GA0805H561KXABP31G 发布时间 时间:2025/6/6 13:54:54 查看 阅读:4

GA0805H561KXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力的特点,适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机驱动等场景。
  这款芯片的封装形式为行业标准的小型化封装,能够在有限的空间内提供卓越的电气性能,同时具备良好的散热特性,确保其在高负载条件下的稳定运行。

参数

型号:GA0805H561KXABP31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源极电压(Vds):60V
  栅源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):8A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):1.5W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA0805H561KXABP31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低导通损耗,提高整体效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,减少磁性元件体积。
  3. 高击穿电压 (Vds),增强了系统的可靠性和抗干扰能力。
  4. 内置 ESD 保护电路,提高了芯片在恶劣环境中的耐用性。
  5. 小型化的封装设计,节省 PCB 空间,适合紧凑型设备。
  6. 宽广的工作温度范围,使其适用于工业、汽车及消费类电子领域。

应用

GA0805H561KXABP31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电池管理系统 (BMS) 中的功率路径控制。
  3. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
  4. 工业自动化设备中的继电器替代和信号隔离。
  5. 消费电子产品中的高效功率转换模块。
  6. LED 驱动电路中的电流调节与保护功能。

替代型号

GA0805H561KXABP32G, IRF540N, FDP5800

GA0805H561KXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-