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GA0805H332KBXBT31G 发布时间 时间:2025/5/20 16:12:28 查看 阅读:4

GA0805H332KBXBT31G 是一款高性能的存储芯片,主要应用于需要大容量数据存储的场景。该型号属于 NAND Flash 系列,采用先进的制程工艺制造,提供高可靠性和快速的数据读写能力。其广泛适用于消费电子、工业控制以及嵌入式系统等领域。

参数

产品类型:NAND Flash
  容量:32GB
  接口类型:Toggle DDR 2.0
  工作电压:1.8V
  数据传输速率:最高可达 400MB/s
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  擦写次数:3000 次
  数据保存时间:10 年

特性

GA0805H332KBXBT31G 具备卓越的性能和可靠性,采用 Toggle DDR 2.0 接口协议,确保高速数据传输。同时,其 3D NAND 技术显著提升了存储密度和能效比。此外,该芯片具备强大的 ECC(错误校正码)功能,可以有效降低数据出错的概率。
  该芯片还支持多种高级功能,例如掉电保护、坏块管理、磨损均衡等,这些功能进一步延长了产品的使用寿命,并保证了在复杂环境下的稳定运行。
  由于其宽泛的工作温度范围和出色的抗干扰能力,该型号非常适合应用于极端环境下,如工业自动化设备、汽车电子及航空航天领域。

应用

GA0805H332KBXBT31G 的典型应用场景包括但不限于以下方面:
  1. 智能手机和平板电脑中的内部存储模块。
  2. 固态硬盘(SSD)作为主存储介质。
  3. 工业计算机与嵌入式系统的数据存储解决方案。
  4. 车载信息娱乐系统以及导航设备的存储单元。
  5. 物联网终端设备的大容量存储需求。
  其大容量、高可靠性的特点使其成为众多高端应用的理想选择。

替代型号

GA0805H332KBXBT32G, GA0805H332KBXBT33G

GA0805H332KBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-