时间：2025/9/2 11:26:06
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H5PS1G63EFR-Y5C-C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的移动LPDDR4 SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片。该器件广泛用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他需要高带宽和低功耗内存的移动设备中。LPDDR4是第四代低功耗双倍数据速率存储器，相比前代产品在速度和能效方面均有显著提升。
容量：1Gb（128MB）
组织结构：x64
封装类型：FBGA
工作电压：1.1V（核心电压VDD），1.8V（I/O电压VDDQ）
最大时钟频率：4266Mbps（数据速率）
封装尺寸：134 balls
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5PS1G63EFR-Y5C-C 具备多项先进特性，使其在移动和嵌入式应用中表现出色。其核心电压为1.1V，I/O电压为1.8V，显著降低了功耗，从而延长了电池寿命。该芯片支持高数据速率，最高可达4266Mbps，满足高带宽需求，适用于图形处理、视频播放和多任务处理等场景。采用x64位宽设计，提高了数据吞吐能力。该芯片还支持多种低功耗模式，如预充电电源下降（Precharge Power-Down）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），进一步优化系统能效。此外，其封装形式为134-ball FBGA，体积小巧，适合空间受限的便携式设备。该芯片的宽工作温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于各种环境条件。
从技术角度看，H5PS1G63EFR-Y5C-C 使用了差分时钟、差分数据选通和ZQ校准等关键技术，确保了高速信号的稳定性。差分时钟和数据选通提高了时序精度，减少了信号干扰。ZQ校准机制允许通过外部电阻进行精确的阻抗匹配，提升信号完整性。此外，该芯片还支持伪开漏I/O（POD I/O）技术，有助于降低漏电和噪声。这些特性使得H5PS1G63EFR-Y5C-C不仅适用于当前主流的移动平台，也可用于未来更高性能的嵌入式系统。
该芯片主要用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、移动热点、嵌入式计算设备以及需要高性能低功耗内存的便携式电子产品中。它也可用于需要高带宽图形处理的设备，如AR/VR头显、车载信息娱乐系统以及工业控制设备。
H5PS1G63EFR-Y5C, H5PS1G63ECR-Y5C-C
