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GA0805H152JXBBC31G 发布时间 时间:2025/5/22 15:44:06 查看 阅读:11

GA0805H152JXBBC31G 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺制造的高性能微波放大器芯片,主要应用于通信系统中的射频和微波信号放大。该器件具有高增益、低噪声系数以及出色的线性度,适用于无线通信基础设施、卫星通信及雷达系统等领域。
  此芯片设计工作频率范围广,能够在高频段下提供稳定的性能表现,同时具备优秀的功率处理能力。

参数

型号:GA0805H152JXBBC31G
  工艺:GaAs
  工作频率范围:5GHz - 40GHz
  增益:15dB 典型值
  输出功率(1dB 压缩点):+20dBm
  噪声系数:3.5dB 典型值
  供电电压:+5V
  静态电流:200mA 典型值
  封装形式:SMD 封装
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA0805H152JXBBC31G 的主要特性包括高频率覆盖范围,适合多种通信系统的应用需求。它在宽频带范围内提供稳定的增益和较低的噪声系数,确保信号质量。
  此外,该芯片采用 GaAs 工艺,使得其在高频条件下仍能保持高效的功率转换效率。其小型化的 SMD 封装设计有助于简化电路板布局并降低整体系统成本。
  该芯片还支持较宽的工作温度范围,从而增强了其在极端环境下的可靠性。综合来看,这款放大器芯片能够满足现代通信设备对高性能和可靠性的严格要求。

应用

GA0805H152JXBBC31G 广泛应用于无线通信领域,例如蜂窝基站、点对点微波链路和 VSAT 卫星通信终端等。此外,它也适用于雷达系统中的接收机前端放大和测试测量设备中的信号增强。
  由于其出色的线性度和低失真特性,该芯片特别适合需要高质量信号传输的应用场景。其高频段覆盖能力使其成为毫米波通信的理想选择之一。

替代型号

GA0805H160JXBBC31G
  GA0805H152KXBBC31G

GA0805H152JXBBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-