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GA0805A151GXBBC31G 发布时间 时间:2025/7/1 3:40:39 查看 阅读:2

GA0805A151GXBBC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,适用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,能够显著提升系统的能效和功率密度。
  这款芯片集成了先进的驱动电路和保护功能,支持宽范围的工作电压,同时具备优异的热性能和可靠性,使其在各种复杂工况下均能保持稳定运行。

参数

型号:GA0805A151GXBBC31G
  类型:GaN 功率开关
  额定电压:650 V
  额定电流:8 A
  导通电阻:150 mΩ
  封装形式:DFN8
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  开关频率:最高 5 MHz
  输入电容:150 pF
  输出电容:10 pF
  反向恢复时间:无反向恢复特性

特性

GA0805A151GXBBC31G 的主要特性包括:
  1. 采用第三代半导体材料氮化镓(GaN),提供卓越的高频和高效性能。
  2. 集成高性能栅极驱动电路,优化了开关速度和功耗。
  3. 具备超低导通电阻(Rds(on)),降低了导通损耗。
  4. 内置多重保护机制,例如过温保护(OTP)、过流保护(OCP)和短路保护(SCP)。
  5. 支持高达 5 MHz 的开关频率,可显著减小磁性元件体积。
  6. 封装形式紧凑,适合高密度设计需求。
  7. 提供良好的电磁兼容性(EMC)表现。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源适配器及充电器。
  2. DC-DC 转换模块。
  3. 无线充电发射端和接收端。
  4. LED 照明驱动电源。
  5. 消费类电子产品的电源管理单元。
  6. 工业控制中的高频逆变器。
  7. 电动汽车车载充电机(OBC)及相关系统。

替代型号

GA0805A151GXBBE31G
  GA0805A151GXBBC32G
  GA0805A151GXBBE32G

GA0805A151GXBBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-