RF7171TR13 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的高功率射频(RF)晶体管,适用于多种无线通信和射频放大应用。该器件基于 GaN(氮化镓)技术,具备高效率、高功率密度和出色的热管理性能,广泛用于蜂窝基站、雷达、工业和军事通信系统等高要求场景。
器件类型:GaN射频功率晶体管
工作频率范围:DC - 4 GHz
最大输出功率:100 W(典型值)
增益:18 - 22 dB
漏极电压:50 V
输入阻抗:50 Ω
封装类型:表面贴装(SMT)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
RF7171TR13 的主要优势在于其采用 GaN 半导体技术,这使其在高频、高功率操作中表现出色。该器件具备高功率附加效率(PAE),在多种调制信号下保持良好的线性度,适用于复杂的通信标准,如 LTE 和 5G。此外,该晶体管具有优异的热导率和高耐久性,可在高功率和高温度环境下稳定运行。
其50Ω输入阻抗设计简化了与外部电路的匹配,减少了外围元件的需求,提高了系统集成的便利性。同时,该器件的封装形式支持表面贴装工艺,适用于现代高密度PCB布局,并有助于提高制造效率和产品可靠性。
RF7171TR13 还具备良好的抗失真能力,适用于多载波和宽带应用,确保信号传输的稳定性和清晰度。它在脉冲操作模式下也表现出良好的性能,适合雷达和突发通信系统。
该器件主要应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站(4G LTE、5G NR)、无线本地环路、WiMAX 和 DVB-T 放大器。此外,RF7171TR13 也适用于雷达系统、工业加热设备、测试仪器和军事通信设备。由于其高频和高功率特性,该晶体管在需要远距离通信和高数据吞吐量的场景中尤为适用,例如远程信号增强器和卫星通信系统。
CGH40010F, LDMOS晶体管如BLF639, Cree的CGH40025P