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AOD2606 发布时间 时间:2025/5/15 12:25:53 查看 阅读:25

AOD2606是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种功率转换和负载切换应用。该器件通常用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及便携式电子设备中的电源管理。
  其封装形式为SOT-23,这使得它非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:4.2A
  导通电阻(Rds(on)):120mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  开关时间:ton=8ns,toff=15ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

AOD2606具有低导通电阻,从而降低了功率损耗并提高了效率。此外,其小尺寸的SOT-23封装有助于节省PCB空间。该器件还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。快速的开关时间和低栅极电荷使它在高频应用中表现出色。
  AOD2606设计支持高可靠性和耐用性,特别适合对功耗敏感的应用场景。其增强型结构确保了在各种条件下均能正常运行,同时提供出色的电气保护特性。

应用

AOD2606广泛应用于消费类电子产品、工业控制和汽车电子领域。常见的应用场景包括但不限于:
  - DC-DC转换器中的开关元件
  - 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关
  - 负载开关以实现动态电源管理
  - 电池供电设备中的电源路径管理
  - 各种电机驱动电路
  - 过流保护和短路保护电路
  由于其小型化和高效性,这款MOSFET特别适合移动设备和其他便携式电子产品的设计。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDMQ8205

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AOD2606参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥5.20044卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Ta),46A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)75 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4050 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63