PESD5V0U5BF,115是一款由NXP Semiconductors生产的静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速数据线路设计。该器件包含五个双向ESD保护二极管,适用于HDMI、USB 2.0、以太网等高速接口的保护应用。该芯片采用小型DFN封装,具有低电容特性,确保对信号完整性的影响最小化。
类型:ESD保护二极管阵列
通道数:5
工作电压:5V
封装类型:DFN
最大钳位电压:12.8V(在IEC 61000-4-2 Level 4条件下)
漏电流:100nA(最大)
工作温度范围:-40°C至+125°C
PESD5V0U5BF,115具有出色的ESD保护性能,可提供高达±8kV接触放电和±15kV空气放电的保护等级(符合IEC 61000-4-2标准)。该器件的每个通道都采用双向保护结构,适用于需要双向信号保护的应用。其低结电容(典型值为0.5pF)确保在高速数据传输过程中不会引入显著的信号失真或衰减,从而适用于高达5Gbps的数据速率。此外,PESD5V0U5BF,115的DFN封装体积小巧,非常适合空间受限的设计。该器件无需外部电源连接,采用无引线封装,提高了可靠性并简化了PCB布局。其低钳位电压特性有助于保护下游IC免受瞬态电压损害,同时其高可靠性使其适用于工业和汽车电子应用。
此外,PESD5V0U5BF,115的制造符合RoHS标准,不含卤素,符合现代环保要求。
PESD5V0U5BF,115广泛应用于需要ESD保护的高速接口电路中,例如USB 2.0接口、HDMI接口、以太网PHY接口、DisplayPort、SD卡插槽、LVDS线路以及便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的高速数据端口。该器件也常用于工业控制设备、汽车信息娱乐系统和车载通信模块中,为敏感的高速信号线路提供可靠的静电放电保护。
PESD5V0U5BA,115