时间：2025/6/18 10:12:34
阅读：4
GA0805A100FBABR31G 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，采用常关型 (enhancement-mode) 的设计。该器件适用于高频、高效能的应用场景，例如电源适配器、开关电源和通信设备中的功率放大电路。其封装形式为表面贴装 (SMD)，便于自动化生产和提高系统的集成度。
作为 GaN 晶体管家族的一员，GA0805A100FBABR31G 提供了卓越的开关性能和低导通电阻特性，同时具备较高的工作频率和耐压能力，显著提升了功率转换效率并减小了系统体积。
类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode GaN HEMT)
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：7mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：24nC（典型值）
反向恢复电荷(Qrr)：无（由于零反向恢复特性）
开关频率：支持高达 MHz 级别
结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
GA0805A100FBABR31G 具有以下显著特点：
1. 基于氮化镓材料技术，提供比传统硅基 MOSFET 更高的功率密度和效率。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，减少传导损耗。
3. 零反向恢复电荷 (Qrr)，进一步降低开关损耗。
4. 快速开关速度，支持高频操作，从而减小无源元件的尺寸。
5. 内置保护功能，如过流保护和静电防护 (ESD)，提升可靠性。
6. 表面贴装封装，适合高密度布局和自动化装配线。
这些优势使得 GA0805A100FBABR31G 成为现代高效能电力电子应用的理想选择。
GA0805A100FBABR31G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电池充电器和快充模块。
3. 数据中心和电信设备的电源管理。
4. LED 驱动器和照明系统。
5. 工业电机驱动和控制电路。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换。
其高频和高效的工作特性使其特别适合小型化、轻量化且需要高功率密度的设计。
GA0805A100FBAR31G, KSGA10065B, EPC2016C
