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GA0603H123MXAAC31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:23:06 查看 阅读:7

GA0603H123MXAAC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力的特点。通过优化设计,这款芯片能够在高频工作条件下保持较低的功耗,非常适合对能效要求较高的应用环境。
  此外,该器件还具备良好的热性能和可靠性,能够满足工业级和消费级电子产品的严格要求。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大连续漏极电流Id:3.5A
  导通电阻Rds(on):40mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总栅极电荷Qg:17nC
  输入电容Ciss:1180pF
  输出电容Coss:180pF
  反向传输电容Crss:38pF
  开关速度:快速
  封装形式:TO-252

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度和低栅极电荷设计,适合高频开关应用。
  3. 高耐压能力(Vds=60V),确保在复杂电路环境下稳定运行。
  4. 良好的热性能,支持长时间高负载工作。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局和安装。
  6. 具备静电防护功能,增强了器件的可靠性和抗干扰能力。
  7. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关应用。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制。
  4. LED驱动器中的电流调节和保护。
  5. 各类便携式设备的充电管理模块。
  6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
  7. 消费类电子产品中的高效电源解决方案。

替代型号

IRFZ44N, FQP30N06L, AO3400

GA0603H123MXAAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-