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GA0603A681JBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/27 17:35:58 查看 阅读:7

GA0603A681JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用领域。
  其封装形式为 TO-252,支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和组装。此外,该器件具备出色的热性能和电气性能,能够有效降低系统功耗并提高整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:25nC
  开关频率:1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:TO-252

特性

GA0603A681JBAAT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了在大电流应用中具备高效率和低发热特性。
  2. 高速开关能力使其适用于高频电源转换应用。
  3. 内置 ESD 保护功能提高了器件的抗静电能力。
  4. 热增强型封装设计有助于改善散热性能。
  5. 宽泛的工作温度范围使其能够在极端环境下可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
  7. 可靠性高,经过严格的质量控制流程测试,满足工业级应用需求。

应用

该芯片广泛应用于多种电子设备和系统中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的主功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率输出级。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的功率调节组件。
  7. 各类消费类电子产品中的高效能电源解决方案。

替代型号

GA0603A681JBAAT31

GA0603A681JBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-