时间：2025/6/3 19:22:31
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GA0603A681JBAAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适合用于各种功率转换电路中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电源管理模块。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计优化了在高频工作条件下的效率和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：典型开启时间 9ns，典型关闭时间 12ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高脉冲电流能力，支持大功率应用。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 紧凑的封装设计，便于 PCB 布局。
5. 具备出色的热稳定性和耐用性，适用于恶劣的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备中的功率级
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. 可再生能源系统中的功率调节
GA0603A681JBAAR28G
IRFZ44N
FDP5800
