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GA0603A681JBAAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:22:31 查看 阅读:4

GA0603A681JBAAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和放大应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,适合用于各种功率转换电路中,例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电源管理模块。
  该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计优化了在高频工作条件下的效率和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:典型开启时间 9ns,典型关闭时间 12ns
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 高脉冲电流能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关性能,减少开关损耗。
  4. 紧凑的封装设计,便于 PCB 布局。
  5. 具备出色的热稳定性和耐用性,适用于恶劣的工作环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备中的功率级
  6. 汽车电子系统中的负载切换
  7. 可再生能源系统中的功率调节

替代型号

GA0603A681JBAAR28G
  IRFZ44N
  FDP5800

GA0603A681JBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-