GA0603A151FXAAC31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,专为高频、高效能开关应用设计。该器件采用先进的封装技术,能够提供高效率和高功率密度,同时具备低导通电阻和快速开关速度的特点。其典型应用场景包括电源适配器、DC-DC转换器以及各类消费类电子产品的充电解决方案。
这款 GaN 功率晶体管通过优化的驱动电路设计,可以显著降低系统损耗,并支持更高的工作频率,从而减小无源元件尺寸并提升整体系统的功率密度。
型号:GA0603A151FXAAC31G
类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
额定电压:650 V
额定电流:3 A
导通电阻:150 mΩ
栅极电荷:20 nC
最大工作温度:175°C
封装形式:DFN8 封装
结到环境热阻:45°C/W
GA0603A151FXAAC31G 具备以下主要特性:
1. 高耐压能力:650V 的击穿电压确保了其在宽输入电压范围内的稳定运行。
2. 超低导通电阻:仅为 150 mΩ,有助于降低导通损耗。
3. 快速开关性能:得益于极低的栅极电荷(20 nC),能够实现高频开关操作,提高功率转换效率。
4. 热稳定性强:可承受高达 175°C 的工作温度,适用于各种恶劣环境。
5. 小型化封装:DFN8 封装节省 PCB 空间,非常适合紧凑型设计需求。
6. 内置保护功能:具有过温保护和短路保护机制,提升系统的可靠性。
GA0603A151FXAAC31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- 用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中,以提高效率和功率密度。
2. 快速充电器:
- 在 USB-PD 快充方案中,提供高效的功率传输。
3. 无线充电模块:
- 支持更高频率的谐振拓扑结构,减小磁性元件体积。
4. 消费类电子产品:
- 包括笔记本电脑适配器、智能手机充电器等小型化设备。
5. 工业电源:
- 应用于 LED 驱动电源和其他工业控制设备。
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