JTX1N6116AUS 时间：2025/8/4 23:00:09 阅读：12

JTX1N6116AUS 是一种常用的低功耗静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）芯片，由JTX公司生产。该芯片的容量为2K x 8位，即总共存储容量为16K位，组织形式为2048个地址，每个地址存储8位数据。JTX1N6116AUS常用于需要高速、低功耗存储的应用场合，例如工业控制、嵌入式系统、通信设备等。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适用于多种工作环境。

参数

容量：2K x 8位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间（tRC）：55ns/70ns/100ns（视具体版本而定）
　　封装形式：28引脚DIP/SOIC
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　读取电流（最大值）：约100mA（典型值）
　　待机电流：约10mA
　　数据保持电流：约10mA
　　三态输出：支持
　　字线控制：支持片选（CE）和输出使能（OE）控制

特性

JTX1N6116AUS 是一款高性能的静态存储器，其核心特性包括高速访问时间、低功耗设计、宽温度适应能力以及高稳定性。该芯片的访问时间通常在55ns至100ns之间，适合需要快速数据读写的系统应用。其CMOS工艺使其在待机模式下功耗极低，适用于需要节能设计的嵌入式设备。此外，JTX1N6116AUS具有三态输出缓冲器，能够有效防止总线冲突，提高系统的稳定性。该芯片还具备片选（CE）和输出使能（OE）引脚，允许用户通过硬件控制其工作状态，从而简化电路设计。
　　由于采用工业级温度范围设计，JTX1N6116AUS可以在-40°C至+85°C之间稳定工作，适合在恶劣环境条件下运行。该芯片还支持数据保持功能，在低功耗模式下仍能保持存储数据不变，适用于需要长时间保存临时数据的场景。此外，JTX1N6116AUS的封装形式包括28引脚DIP和SOIC，方便用户根据PCB设计和空间限制选择合适的封装类型。

应用

JTX1N6116AUS 通常用于各种需要高速缓存存储器的嵌入式系统和工业设备中。常见的应用包括微控制器系统中的外部存储器扩展、数据缓存、图像处理缓冲区、实时控制系统中的临时数据存储等。该芯片也广泛应用于通信设备，如路由器和交换机中，用于存储临时数据包和缓冲信息。此外，JTX1N6116AUS还可用于测试设备、数据采集系统、工业自动化控制装置等对存储速度和稳定性要求较高的场景。由于其低功耗和宽温特性，JTX1N6116AUS也适用于户外设备和工业现场环境中的应用。