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MT5C6408ECW-25 发布时间 时间:2025/6/27 16:54:05 查看 阅读:7

MT5C6408ECW-25 是由 Micron(美光)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为 64K x 8 位,即总共 512Kbit 的存储容量。该芯片采用高速CMOS工艺制造,具有低功耗、高可靠性和快速访问时间等特点,适用于需要高性能和稳定性的嵌入式系统及工业设备。

型号

MT5C6408ECW-25

参数

容量:512Kbit
  组织方式:64K x 8位
  电源电压:3.3V 或 5V 可选
  访问时间:25ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行接口
  最大时钟频率:无(异步SRAM)
  读电流:典型值 100mA(在1MHz下)
  待机电流:最大 10mA

特性

MT5C6408ECW-25 SRAM 芯片具备多项优异特性。其高速访问时间为25ns,使得该芯片能够满足对数据读写速度要求较高的应用场景。芯片支持3.3V或5V的宽电压供电,增强了其在不同系统设计中的兼容性。采用TSOP封装形式,不仅节省空间,还提升了高频工作的稳定性。此外,该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C 至 +85°C),使其能够在各种恶劣环境条件下保持稳定运行。
  在功耗方面,MT5C6408ECW-25 在典型操作下的读取电流仅为100mA,并且在待机模式下的电流消耗最低可降至10mA以内,是非常有利的特性。由于是异步SRAM,不需要时钟信号同步,简化了系统控制逻辑,提高了设计灵活性。
  该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、测试仪器以及车载电子等对可靠性有较高要求的领域。

应用

MT5C6408ECW-25 主要用于需要快速数据缓存和临时存储的应用中。例如,在通信系统中作为数据缓冲区;在工业控制系统中作为程序或数据的临时存储单元;在测试与测量设备中用作高速采样数据的暂存区域;也可用于嵌入式系统的启动加载程序存储等场景。

替代型号

IS61LV6408-25BLLI、CY62148EVLL-25ZS、AS7C36408-25JC

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