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GA0603A101JBAAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 23:38:22 查看 阅读:4

GA0603A101JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,广泛用于工业、通信和消费类电子设备中的开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机驱动等领域。
  这款芯片通过优化的沟道结构设计,能够在高频工作条件下提供卓越的能效表现,同时具备良好的抗电磁干扰能力,确保系统运行的稳定性。

参数

类型:功率MOSFET
  封装形式:TO-247
  Vds(漏源极耐压):60V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):1.5mΩ
  Id(连续漏极电流):100A
  Qg(栅极电荷):45nC
  f(工作频率):高达500kHz
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

GA0603A101JBAAT31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷(Qg),适合高频应用环境。
  3. 强大的电流承载能力(Id可达100A),支持大功率负载。
  4. 高耐压性能(Vds为60V),能够承受更高的电压波动。
  5. 出色的热管理设计,保证在高温环境下仍能稳定运行。
  6. 封装形式坚固耐用,便于散热及安装,适用于多种应用场景。

应用

该芯片广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(Switching Mode Power Supplies, SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 太阳能逆变器
  5. 工业自动化控制设备
  6. 电动车充电模块
  7. 通信电源系统
  由于其高效能和高可靠性,GA0603A101JBAAT31G 成为许多高要求应用场合的理想选择。

替代型号

GA0603A101JBAAT21G
  IRFP2907
  FDP18N60C
  STW13NM60K

GA0603A101JBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-