时间：2025/9/6 6:13:08
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CMPD2005S TR是一种双通道P沟道增强型功率MOSFET，常用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的高效开关应用。该器件由两个独立的MOSFET组成，适用于需要高可靠性和低导通电阻的场景。该器件采用SOT-26封装，适合表面贴装。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：500mA（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（最大值，Vgs=-4.5V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-26
功率耗散：300mW
通道数：2
CMPD2005S TR是一款双P沟道MOSFET，专为高效能和小型化设计而优化。其低导通电阻确保了在开关过程中减少能量损耗，提高系统效率。该器件的双通道结构允许独立控制两个负载，非常适合用于多路电源管理应用。SOT-26封装使其适合高密度PCB布局，同时保持良好的热性能。此外，该器件具有良好的抗静电能力和稳定性，适用于便携式电子设备、智能电池管理、DC-DC转换器以及各种低电压开关应用。由于其高可靠性，该器件广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。
该器件常用于便携式电子产品中的电源管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。它也适用于电池保护电路、负载开关、DC-DC转换器以及LED照明控制。此外，CMPD2005S TR还可用于工业设备的电源控制模块、智能卡读写器以及各种需要低电压、低功耗开关的系统。
Si3442DV-T1-GE3, DMG2305UX-7, FDMS3602, FDC6303P, TPC2116
