时间：2025/6/4 19:57:28
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GA0603A101GXAAC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频、高效率电力转换应用。该器件采用了先进的 GaN 工艺设计，具有更低的导通电阻和更高的开关频率，可显著提高电源系统的性能和功率密度。
此型号为表面贴装器件（SMD），能够满足紧凑型设计需求，并在各类工业和消费电子领域中得到广泛应用。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：3A
导通电阻：100mΩ（典型值，@ Vgs=8V）
栅极电荷：9nC（典型值）
反向恢复电荷：无（由于 GaN 的特性）
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装形式：LLP8 封装
1. 高效功率转换：得益于低导通电阻和低栅极电荷，使得开关损耗大幅降低。
2. 高开关频率：支持高达数 MHz 的开关频率，非常适合高频应用。
3. 快速开关速度：消除了传统硅 MOSFET 的反向恢复损耗问题。
4. 热性能优异：采用 LLP8 封装，具备良好的散热能力，同时适合表面贴装工艺。
5. 紧凑设计：较小的封装尺寸有助于实现更高功率密度的设计方案。
6. 安全可靠：内置 ESD 保护功能以增强芯片稳定性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电设备
4. 激光雷达（LiDAR）驱动电路
5. 电机驱动控制
6. 充电器与适配器
7. 可再生能源系统中的逆变器
GAN063-650WSA
GAN063-650ESA
Transphorm TP65H030WS
EPC2038
