GA0603A101GXAAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频、高效率电力转换应用。该器件采用了先进的 GaN 工艺设计,具有更低的导通电阻和更高的开关频率,可显著提高电源系统的性能和功率密度。
此型号为表面贴装器件(SMD),能够满足紧凑型设计需求,并在各类工业和消费电子领域中得到广泛应用。
类型:增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压:600V
最大连续漏极电流:3A
导通电阻:100mΩ(典型值,@ Vgs=8V)
栅极电荷:9nC(典型值)
反向恢复电荷:无(由于 GaN 的特性)
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装形式:LLP8 封装
1. 高效功率转换:得益于低导通电阻和低栅极电荷,使得开关损耗大幅降低。
2. 高开关频率:支持高达数 MHz 的开关频率,非常适合高频应用。
3. 快速开关速度:消除了传统硅 MOSFET 的反向恢复损耗问题。
4. 热性能优异:采用 LLP8 封装,具备良好的散热能力,同时适合表面贴装工艺。
5. 紧凑设计:较小的封装尺寸有助于实现更高功率密度的设计方案。
6. 安全可靠:内置 ESD 保护功能以增强芯片稳定性。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电设备
4. 激光雷达(LiDAR)驱动电路
5. 电机驱动控制
6. 充电器与适配器
7. 可再生能源系统中的逆变器
GAN063-650WSA
GAN063-650ESA
Transphorm TP65H030WS
EPC2038