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GA0603A101GXAAC31G 发布时间 时间:2025/6/4 19:57:28 查看 阅读:4

GA0603A101GXAAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频、高效率电力转换应用。该器件采用了先进的 GaN 工艺设计,具有更低的导通电阻和更高的开关频率,可显著提高电源系统的性能和功率密度。
  此型号为表面贴装器件(SMD),能够满足紧凑型设计需求,并在各类工业和消费电子领域中得到广泛应用。

参数

类型:增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
  最大漏源电压:600V
  最大连续漏极电流:3A
  导通电阻:100mΩ(典型值,@ Vgs=8V)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  反向恢复电荷:无(由于 GaN 的特性)
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装形式:LLP8 封装

特性

1. 高效功率转换:得益于低导通电阻和低栅极电荷,使得开关损耗大幅降低。
  2. 高开关频率:支持高达数 MHz 的开关频率,非常适合高频应用。
  3. 快速开关速度:消除了传统硅 MOSFET 的反向恢复损耗问题。
  4. 热性能优异:采用 LLP8 封装,具备良好的散热能力,同时适合表面贴装工艺。
  5. 紧凑设计:较小的封装尺寸有助于实现更高功率密度的设计方案。
  6. 安全可靠:内置 ESD 保护功能以增强芯片稳定性。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 无线充电设备
  4. 激光雷达(LiDAR)驱动电路
  5. 电机驱动控制
  6. 充电器与适配器
  7. 可再生能源系统中的逆变器

替代型号

GAN063-650WSA
  GAN063-650ESA
  Transphorm TP65H030WS
  EPC2038

GA0603A101GXAAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-