时间：2025/8/14 19:12:23
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PJS6809 T/R 是一款由PanJit Semiconductor（强茂半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和高可靠性的特点，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等场景。其封装形式为TO-252（也称为DPAK），便于散热并适合表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：≤4.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55℃～150℃
封装：TO-252/DPAK
PJS6809 T/R 具有出色的电气性能和热性能，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。该器件的栅极设计支持快速开关操作，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其高雪崩能量耐受能力增强了器件在恶劣工作条件下的稳定性和寿命。
该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。其内部结构优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和抗过载能力。此外，PJS6809 T/R 符合RoHS环保标准，适用于现代电子制造中的绿色要求。
在可靠性方面，PJS6809 T/R 经过严格的测试和验证，能够在高温和高湿度环境下保持稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用场景。
PJS6809 T/R 广泛应用于各类电力电子系统中，包括但不限于：同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源开关、负载开关、逆变器、UPS系统、工业自动化设备以及便携式电子产品中的功率控制部分。由于其高电流承载能力和低导通损耗，该器件在高性能电源转换系统中表现尤为出色。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF2807-7PBF, FDP6810, NVTFS5C471NLWFTAG
