容量：2K x 8位
　　访问时间：100ns
　　电源电压：5V
　　封装形式：28引脚DIP
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　引脚数量：28
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　读写控制信号：/CE、/OE、/WE
　　地址线数量：11位（A0-A10）
　　数据线数量：8位（D0-D7）

LH5116NA-10 采用高速CMOS技术，具有低功耗与高速访问的双重优势，适合对速度和稳定性要求较高的系统设计。
　　该芯片具备TTL兼容接口，可方便地与多种控制器和处理器连接，广泛用于老式工业设备、嵌入式系统和数据缓存应用。
　　其100ns的访问时间在当时属于高性能SRAM范畴，适用于早期计算机系统、通信模块和仪器仪表。
　　此外，该芯片具有较高的抗干扰能力，在恶劣的电磁环境中仍能保持稳定运行。
　　LH5116NA-10 的DIP封装形式便于插拔和更换，适合实验室调试和小批量应用。
　　由于其停产多年，目前市场上多为二手或库存件，使用时需注意供货渠道和器件状态。

LH5116NA-10 主要应用于早期的工业控制系统、数据采集设备、测试仪器、通信设备中的高速缓存单元。
　　它也常用于嵌入式系统的静态存储扩展，如微控制器系统中的外部RAM扩展。
　　在老式计算机系统中，该芯片可用于构建高速缓存或临时数据存储区域。
　　此外，一些工业自动化设备、数据采集系统和通信模块也广泛采用该芯片作为高速存储单元。
　　在教育和实验领域，该芯片常用于电子工程实验教学和嵌入式系统开发平台。

IS61C256AH-10TLLI、CY62148EVLL-45ZXC、AS6C62256-55PCN、IDT71V016SA-10P